沉積爐工藝流程

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沉積爐是用于制造半導(dǎo)體器件的重要設(shè)備，其工藝流程大致如下：

1.基片準(zhǔn)備：首先，準(zhǔn)備要用于沉積的基片（通常是硅片），必須先進(jìn)行清洗和表面處理，以確保表面干凈和適合沉積。
2.裝載基片：清潔的基片被裝載到沉積爐的載具上，通常是通過(guò)機(jī)械手或者人工放置。
3.預(yù)處理：在進(jìn)行實(shí)際的沉積之前，可能需要進(jìn)行一些預(yù)處理步驟，例如加熱基片以去除殘留的水分或氧化層，以及預(yù)先引入某些化學(xué)物質(zhì)以調(diào)控沉積過(guò)程中的條件。
4.沉積：主要沉積過(guò)程開(kāi)始。這可能包括化學(xué)氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）等技術(shù)。在CVD中，通過(guò)將氣體化學(xué)物質(zhì)引入沉積爐并加熱，使其在基片表面沉積固體薄膜。在PVD中，物質(zhì)從固體源蒸發(fā)并在基片表面沉積。沉積過(guò)程中需要嚴(yán)格控制溫度、氣氛、流速和時(shí)間等參數(shù)，以確保所需的沉積薄膜質(zhì)量和厚度。
5.冷卻和卸載：沉積完成后，基片通常會(huì)在一定的溫度條件下冷卻，以避免熱應(yīng)力損傷。之后，基片可以從沉積爐中卸載。
6.后處理：沉積完成后的基片可能需要進(jìn)一步的后處理步驟，如清洗、檢查和測(cè)試，以確保沉積膜的質(zhì)量和一致性。

沉積爐的工藝流程因所使用的具體沉積技術(shù)、器件類(lèi)型和工藝要求而有所不同，但以上步驟大致描述了一般的沉積爐工藝流程。

金多蝦

樓上的回答很專(zhuān)業(yè)，學(xué)習(xí)了。

體力-1

很小眾的設(shè)備，大部分人應(yīng)該都沒(méi)見(jiàn)過(guò)

花開(kāi)正好

學(xué)習(xí)下，感謝樓主分享